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键合设备
| LD
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应用领域
面向2.5D、3DIC、异质异构集成等先进封装工艺
产品特点
模块化工艺模块设计,根据工艺需求匹配
胶层工艺一体化,可控空洞率
适配多种临时键合工艺胶
GRR验证的对准精度
等离子活化空洞率控制优异
热漂移补偿功能保证长时间连续稳定作业
技术指标
4寸、6寸、8寸、12寸
对准:≤±100um
对准:≤+200nm (D2W);+30nm@3σ (W2W/C2W)
键合温度:≤500℃
芯片尺寸:0.5x0.5mm - 50x50mm (D2W)
键合压力:≤40KN
晶圆厚度:最薄至35um
TTV:≤5um
键合模式:芯片对晶圆/晶圆对晶圆
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