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键合设备 | LD
键合设备 | LD
应用领域
面向2.5D、3DIC、异质异构集成等先进封装工艺
产品特点
  • 模块化工艺模块设计,根据工艺需求匹配

  • 胶层工艺一体化,可控空洞率

  • 适配多种临时键合工艺胶

  • GRR验证的对准精度

  • 等离子活化空洞率控制优异

  • 热漂移补偿功能保证长时间连续稳定作业

技术指标
4寸、6寸、8寸、12寸
对准:≤±100um对准:≤+200nm (D2W);+30nm@3σ (W2W/C2W)
键合温度:≤500℃芯片尺寸:0.5x0.5mm - 50x50mm (D2W)
键合压力:≤40KN晶圆厚度:最薄至35um
TTV:≤5um键合模式:芯片对晶圆/晶圆对晶圆